📱 Нова мікросхема від IBM та Samsung: смартфони зможуть працювати тиждень без зарядки

IBM та Samsung розповіли, що вони вигадали новий метод вертикального розташування транзисторів, який має забезпечити більшу енергоефективність. Наявні методи передбачають горизонтальне розміщення транзисторів.

У новій технології струм також проходитиме вертикально. Це дозволить обійти обмеження продуктивності згідно із законом Мура (допоможе зберегти енергію за рахунок нижчого енергоспоживання).

Більше про технологію

Нова технологія називається VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors). Очікується, що вона забезпечить удвічі більшу продуктивність та підвищення енергоефективності на 85% порівняно зі сучасними мікросхемами FinFET. Їх зараз використовує, зокрема, компанія Intel під час виробництва своїх 10-нанометрових процесорів.

Теоретично, VTFET може збільшити час роботи смартфона на одному заряді до семи днів.

Коли технологія запрацює

IBM та Samsung не оголосили, коли ми зможемо побачити VTFET у комерційних продуктах.

IBM і Samsung, рекламуючи свій новий винахід, не змогли пройти двох модних тем – майнінгу та екології. За словами творців VTFET, дана технологія дозволяє зробити цілу низку енергоємних завдань, включаючи видобуток криптовалюти, набагато менш шкідливими для навколишнього середовища.

Конкурс Na chasi з Enjoy the Wood

Напишіть пост на задану тему та отримайте шанс виграти бестселер Enjoy the Wood ™ — дерев’яну багатошарову мапу світу у розмірі L.

• Подробиці конкурсу читайте за посиланням.
• Роботи приймаються до 21 грудня. Успіхів!