Vladyslava Ševčenko
IBM ta Samsung rozpovily, ščo vony vygadaly novyj metod vertykaľnogo roztašuvannja tranzystoriv, jakyj maje zabezpečyty biľšu energoefektyvnisť. Najavni metody peredbačajuť goryzontaľne rozmiščennja tranzystoriv.
U novij tehnologiї strum takož prohodytyme vertykaľno. Ce dozvolyť obijty obmežennja produktyvnosti zgidno iz zakonom Mura (dopomože zberegty energiju za rahunok nyžčogo energospožyvannja).
Biľše pro tehnologiju
Nova tehnologija nazyvajeťsja VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors). Očikujeťsja, ščo vona zabezpečyť udviči biľšu produktyvnisť ta pidvyščennja energoefektyvnosti na 85% porivnjano zi sučasnymy mikroshemamy FinFET. Їh zaraz vykorystovuje, zokrema, kompanija Intel pid čas vyrobnyctva svoїh 10-nanometrovyh procesoriv.
Teoretyčno, VTFET može zbiľšyty čas roboty smartfona na odnomu zarjadi do semy dniv.
Koly tehnologija zapracjuje
IBM ta Samsung ne ogolosyly, koly my zmožemo pobačyty VTFET u komercijnyh produktah.
IBM i Samsung, reklamujučy svij novyj vynahid, ne zmogly projty dvoh modnyh tem – majningu ta ekologiї. Za slovamy tvorciv VTFET, dana tehnologija dozvoljaje zrobyty cilu nyzku energojemnyh zavdań, vključajučy vydobutok kryptovaljuty, nabagato menš škidlyvymy dlja navkolyšńogo seredovyšča.
Konkurs Na chasi z Enjoy the Wood
Napyšiť post na zadanu temu ta otrymajte šans vygraty bestseler Enjoy the Wood ™ — derev’janu bagatošarovu mapu svitu u rozmiri L.
- Podrobyci konkursu čytajte za posylannjam.
- Roboty pryjmajuťsja do 21 grudnja. Uspihiv!
Buď laska, viźmiť učasť u opytuvanni. Ce dopomože rozvytku našogo projektu: